技術指標: 1、電子光學: · 高性能電子光學鏡筒,雙陽極熱發射電子槍 · 45度大錐角物鏡極靴,及“穿過透鏡”的壓差真空系統,加熱式物鏡光闌 · 加速電壓: 200 V - 30 kV · 束流: 最大2μA并連續可調 · 放大倍數: 6x – 1,000,000 x(四幅圖像顯示) 2、分辨率 · 二次電子(SE)成像:高真空模式:30kV時 3.0nm;3kV時 8.0nm · 低真空模式:30kV時3.0nm;3kV時 10.0nm · ESEM?環境真空模式: 30kV時 3.0nm · 背散射電子(BSE)成像:30kV時 4 nm 3、樣品室真空 < 6′10-4 - 2600Pa;三種真空模式: 高真空、低真空和ESEM環境真空 |