根據國務院關于印發實施《中華人民共和國促進科技成果轉化法》若干規定的通知（國發〔2016〕16號）和我校《關于職務發明知識產權歸屬和利益分享制度試點辦法》（西南石大科〔2017〕2號）等有關文件要求，現將“獲得大晶粒高質量鈣鈦礦薄膜的后期處理方法及其應用”等五項專利擬轉讓進行公示，任何單位或個人若有異議，應當在公示時間內以真實身份書面向我單位提出。
專利一
專利類型：發明專利
專利名稱：獲得大晶粒高質量鈣鈦礦薄膜的后期處理方法及其應用
專 利 號：CN201910283015.6
申請日期：2019-04-10
授權日期：2022-7-19
專利權人：西南石油大學
發 明 人：黃躍龍；田柳文；章文峰；于華
成果簡介：本發明屬于光電器件技術領域，一種獲得大晶粒高質量鈣鈦礦薄膜的后期處理方法及其應用。鈣鈦礦薄膜的后期處理工藝采用混合溶劑蒸汽輔助的梯度退火工藝，具體過程為：首先，進行稍低溫度的熱退火；然后，進行混合溶劑蒸汽輔助熱退火；最后，進行稍高溫度的熱退火。進而制備得到大晶粒高質量鈣鈦礦薄膜。本發明的鈣鈦礦薄膜的制備工藝簡單，成本低，重復性好，實用性強，適合大面積薄膜以及大規模批量化處理。
專利二
專利類型：發明專利
專利名稱：介孔電子傳輸層的制備方法、鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法
專 利 號：CN201911109778.5
申請日期：2019-11-14
授權日期：2022-4-1
專利權人：西南石油大學
發 明 人：彭長濤; 王其云; 黃躍龍
成果簡介：一種介孔電子傳輸層的制備方法、鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法，所述介孔電子傳輸層的制備方法包括以下步驟：配置涂膜前驅體溶液A，所述前驅體溶液A含有電子傳輸材料和造孔劑，所述電子傳輸材料為二氧化錫；采用溶液涂膜工藝將所述前驅體溶液A涂在導電基板上；對涂膜后的導電基板進行退火處理，所述退火處理的溫度為140～220℃，時間大于等于15min；對退火后的導電基板進行紫外線照射處理，處理的時間大于等于30min。所述鈣鈦礦太陽能電池包括上述制備方法制備的介孔電子傳輸層。本發明的介孔電子傳輸層的制備方法，能夠大幅減少介孔薄膜制備的周期和成本，提高介孔電子傳輸層的質量，提高將其應用于鈣鈦礦太陽能電池中的轉化效率。
專利三
專利類型：發明專利
專利名稱：一種背接觸式鈣鈦礦太陽電池及其制備方法
專 利 號：CN201910231639.3
申請日期：2019-3-26
授權日期：2019-7-26
專利權人：西南石油大學
發 明 人：張海川; 陳濤; 俞健; 黃躍龍
成果簡介：本發明涉及一種背接觸式鈣鈦礦太陽電池及其制備方法，屬于新型鈣鈦礦太陽能電池技術領域。本發明主要是克服現有技術中的不足之處，提出一種背接觸式鈣鈦礦太陽電池，包括從上到下依次設置的基底、減反射層、三維鈣鈦礦層、二維鈣鈦礦層，所述二維鈣鈦礦的下表面設有若干個叉指狀交錯分布的空穴傳輸層和電子傳輸層，所述空穴傳輸層下表面依次設有空穴緩沖層和透明電極層，所述電子傳輸層的下表面設有中間透明電極層，所述透明電極層、中間透明電極層的下表面上均設有電極。本發明具有小的寄生損失，能夠充分吸收太陽光，增加電池對短波光的利用，從而增大短路電流，進而有效提高太陽電池的光電轉換效率。
專利四
專利類型：發明專利
專利名稱：一種高效鈣鈦礦太陽能電池及制備方法
專 利 號：CN202010548568.2
申請日期：2020-06-16
授權日期：2022-05-27
專利權人：西南石油大學
發 明 人：馬柱; 黃德軍; 肖政; 晏廣元; 李小琴; 黃躍龍
成果簡介：本發明公開一種高效鈣鈦礦太陽能電池及制備方法，屬于太陽能電池技術領域。所述高效鈣鈦礦太陽能電池的制備方法包括：在透明導電基板上旋涂制備電子傳輸層；在電子傳輸層上旋涂碘化鉛膠體，并進行退火結晶處理，形成碘化鉛薄膜；在碘化鉛薄膜上旋涂鹵化物陽離子，并進行退火結晶處理，生成鈣鈦礦吸光層和碘化鉛鈍化結構；在鈣鈦礦吸光層上噴涂帶有包覆材料的碘化鉛膠體，形成碘化鉛晶體鈍化層；在碘化鉛晶體鈍化層上制備空穴傳輸層；在空穴傳輸層上制備銀電極。本發明提供的一種高效鈣鈦礦太陽能電池及制備方法中，分別在電子傳輸層和鈣鈦礦吸光層上旋涂和噴涂碘化鉛膠體，實現可控的缺陷鈍化，達到雙鈍化效果，提高器件的效率和長期穩定性。
專利五
專利類型：發明專利
專利名稱：一種高質量鈣鈦礦薄膜和鈣鈦礦太陽電池的制備方法
專 利 號：CN202010615405.1
申請日期：2020-6-30
授權日期：2022-6-17
專利權人：西南石油大學
發 明 人：章文峰; 林埔安; 黃躍龍
成果簡介：本發明公開了一種高質量鈣鈦礦薄膜和鈣鈦礦太陽電池的制備方法，屬于光電器件制備技術領域。該方法包括在清洗后的基片上旋涂SnO2旋涂液；將PbI2粉末溶解于DMF和DMSO的混合溶液配置成PbI2溶液，混合溶液由DMF和DMSO按照1?19 : 1混合獲得；攪拌至溶解；將PbI2溶液過濾后旋涂到SnO2電子傳輸層上，將基片放置于70℃下加熱0?10min，得PbI2層；迅速將純水置于PbI2上，靜置，將水旋轉去除；將FA/MA二元溶液旋涂到PbI2層上得鈣鈦礦層；將空穴前驅體溶液旋涂在鈣鈦礦層上，氧化；將具有空穴傳輸層的樣品再進行真空蒸鍍銀電極，獲得鈣鈦礦太陽電池。本發明的制備方法可取得高于20％的器件效率，適合于低成本、大規模鈣鈦礦太陽電池器件的制備，是一種具有應用前景的鈣鈦礦薄膜后期處理工藝。
轉化方式：轉讓
定價方式：協議定價
轉讓價格：50萬元
受 讓 方：湖州市鶉火光電有限公司
公 示 期：2023年2月21日至2023年3月7日
聯 系 人：包老師
聯系電話：028-83032096
