2019年5月17日星期五上午10:00-11:30，西南交通大學材料學院周建教授應我院邀請，在油氣藏地質及開發工程國家重點實驗室A403學術報告廳，作了題為：“光照下晶體結構相變的理論預言”的學術報告。來自材料院及其他學院的師生參加了本次報告。

首先，周教授以生活實例做類比，深入淺出的介紹了Ge-Sb-Te材料所具有的兩種局域穩定結構，并指出它們性能上的明顯差別。該材料的這兩種相變屬于重構型相變，過程所需能量較高。相對而言，位移型相變則需要較小的能量輸入，因此具有更為優秀的應用前景，特別是基于二維材料的有序-有序相變來設計微型結構相變材料在電子信息存儲領域具有重大應用價值。周教授以過渡金屬二硫化物（TMD，如MoS2）單層材料具有的2H和1T′兩個相為例，講解了從理論和實驗上怎樣通過靜電場的方式誘導2H→1T′結構相變，并提出新的疑問，即能否用非接觸式的光場來誘導二維材料的結構相變。周教授進而介紹了一種新的相變方案，即通過討論光場中交變電場對二維各向異性材料的影響，通過第一性原理計算線偏振光場下二維各向異性材料的自由能變化，預言光照下二維材料的快速結構相變。最后，周教授列舉了多種最新研究成果，來說明該新相變方法的可行性及重要意義。報告后，周教授就新相變方法的預期應用效果及急需克服的問題與在場師生進行了廣泛交流。

報告人簡介：周健，西安交通大學教授，博士生導師，中組部第十四批“青年千人”入選者。于2008年和2013年獲得北京大學學士和博士學位，此后分別在美國弗吉尼亞聯邦大學和麻省理工學院從事博士后研究，現任西安交通大學微納尺度材料行為研究中心教授。長期以來從事計算材料學的理論模擬，在低維材料的自旋電子學、拓撲材料、相變材料等領域從事材料設計和理論計算分析研究。共發表60余篇學術論文，其中以第一作者/通訊作者身份在PNAS，PRL，JACS，Angew. Chem.，Nano Lett.等雜志發表30余篇論文，包括5篇ESI高被引論文和1篇熱點論文。這些結果被Science，Nat. Mater.，Chem. Rev.，Rev. Mod. Phys.，等雜志引用2500余次，h因子21，單篇最高被引500余次。