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光照下晶體結構相變的理論預言

來源:     報告人:周健    審核:    編輯:沈立芹     發布日期:2019年05月05日    瀏覽量:[]

報告題目:光照下晶體結構相變的理論預言

報告人:周健  西安交通大學材料科學與工程學院教授、博導

摘要:目前商用相變材料主要基于Ge-Sb-Te合金材料。這種材料具有兩種局域穩定結構,即晶相和非晶相,它們的電阻值具有明顯的差別。這樣的相變屬于重構型,所需能量較高。另一種相變,即位移型相變,是從有序相變為另一個有序相,需要較小的能量輸入。為了設計微型結構相變材料,人們開始討論二維材料的有序-有序相變。例如,過渡金屬二硫化物(TMD,如MoS2)單層材料具有2H和1T′兩個相,理論和實驗都證明了可以通過靜電場的方式誘導2H→1T′結構相變。然而,這需要和樣品直接接觸。能否用非接觸式的光場來誘導二維材料的結構相變?我們將介紹一種新的相變方案,即通過討論光場中交變電場對二維各向異性材料的影響,通過第一性原理計算線偏振光場下二維各向異性材料的自由能變化,預言光照下二維材料的快速結構相變。

時間:2019年5月17日(星期五),上午10:00-11:30

地點:國重A403

報告人簡介:周健,西安交通大學教授,博士生導師,中組部第十四批“青年千人”入選者。于2008年和2013年獲得北京大學學士和博士學位,此后分別在美國弗吉尼亞聯邦大學和麻省理工學院從事博士后研究,現任西安交通大學微納尺度材料行為研究中心教授。長期以來從事計算材料學的理論模擬,在低維材料的自旋電子學、拓撲材料、相變材料等領域從事材料設計和理論計算分析研究。共發表60余篇學術論文,其中以第一作者/通訊作者身份在PNAS,PRL,JACS,Angew. Chem.,Nano Lett.等雜志發表30余篇論文,包括5篇ESI高被引論文和1篇熱點論文。這些結果被Science,Nat. Mater.,Chem. Rev.,Rev. Mod. Phys.,等雜志引用2500余次,h因子21,單篇最高被引500余次。應邀擔任包括PNAS,AM,PRL,JACS在內的20余種物理、化學、材料領域國際學術期刊審稿人。






主辦單位:科研處,材料科學與工程學院,油氣藏地質及開發工程國家重點實驗室

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