報告題目：表面分析技術（XPS/UPS/LEIPS）特點及其在光電器件研究中的應用

報告人：鞠煥鑫

報告時間：2021年12月28日（星期二）15：00

報告地點：西南石油大學光伏院學術報告廳（逸夫樓C207）

報告簡介：

光電器件中界面相互作用以及界面電子結構與器件性能之間構效關系的研究，是指導構建高效器件的重要研究內容。基于能譜技術的多項表面分析技術（XPS -UPS-LEIPS），可以提供包括芯能級、價帶和導帶的全面電子結構信息，同時結合多種濺射離子源實現對無機材料以及有機材料進行逐層解析的深度分析，將為光電器件表界面構效關系的研究提供強有力的技術支持。

在本報告中，鞠煥鑫博士將講述能譜技術（XPS/UPS/LEIPS）的基本原理及其相關技術特點，重點講解數據處理過程包括譜圖定量分析、化學態解析、譜圖擬合以及UPS譜圖分析能級排列等內容，并結合光電器件中的研究事例介紹表面分析技術在材料組分/化學態、深度分析以及能級電子結構研究中的應用。歡迎感興趣的老師和同學來聽報告，并就能譜技術問題開展深入的交流與探討。

報告人簡介：

鞠煥鑫博士，PHI (China) Limited高德英特(北京)科技有限公司應用科學家。2009年-2014年于中國科學技術大學獲得學士和博士學位，畢業后在國家同步輻射實驗室從事博士后研究。2012-2013年在美國華盛頓大學（西雅圖）化學系David Ginger教授課題組聯合培養。2016年6月-2018年10月，中國科學技術大學國家同步輻射實驗室副研究員，負責中國科學技術大學國家同步輻射實驗室催化與表面科學實驗站的運行管理，主要從事軟X射線譜學方法學研究以及能源材料/器件界面電子性質研究。在學術研究方面與用戶合作在Science, Nature Photonics, Nature Chemistry, Nature Energy, J. Am. Chem. Soc., Angew. Chem. Int. Ed, Adv. Mater等期刊發表學術論文百余篇；主持/參與國家自然科學基金委青年科學基金、大科學裝置聯合基金培育項目和重點項目、國家重點研發計劃等多個國家級科研項目。2018年11月，加入PHI (China) Limited高德英特(北京)科技有限公司，擔任應用專家，負責PHI CHINA南京表面分析實驗室的創建以及運行管理。